Composés III-V nitrurés

Equipe :Etude des dispositifs électroniques à base de matériaux III-V nitrurés – Analyse
surfacique, électrique et optique:

Résponsable d'équipe : Pr. Z. Benamara

Cette dernière décennie, les nitrures d’éléments III/N tels que le GaN sont entrain de connaitre un essor considérable. L’intérêt  croissant pour ces matériaux est dû aux applications potentielles de cette famille de semi-conducteurs à large bande interdite. En effet, ces composés présentent des performances bien supérieures à celles des semi-conducteurs plus classiques comme le silicium. Ce sont des matériaux de choix pour  toutes les applications nano-technologiques. Or les caractéristiques de ces  matériaux et des composants sont sensibles à l’état de surface et de l’interface .
 Ainsi, cette équipe de recherche propose d’étudier le  fonctionnement des différents types de composants électroniques ceci en passant par une maîtrise préalable des phénomènes physiques et électroniques  régissant le transport dans les nanocomposants réalisés tels que les hétérostructures de type  GaN /GaAs.  Il est donc devenu  essentiel  de comprendre les mécanismes de formation des nanostructures pour maîtriser au mieux la technologie des composants réalisés. En effet, dans le domaine de l’électronique, ces matériaux présentent un caractère réfractaire qui permet d’envisager des applications dans des conditions hostiles, à hautes température, puissance ou  fréquence.  
        Pour l’élaboration des hétéro-structures et pour la croissance du GaN sur GaAs, on utilise  un plasma d’azote actif créé par une source GDS à faible puissance. Ce processus optimisé amène à la création de couches  de GaN stœchiométriques de très bonne qualité.. Les surfaces nettoyées et nitrurées sont analysées par des méthodes spectroscopiques de type Auger et XPS Les nhétérostructures GaN/GaAs  élaborées seront ensuite caractérisées électriquement ceci en traçant les courbes courant-tension à différentes températures ( 100K à 700K), capacité-tension à différentes fréquences ( quelques Hertz à plusieurs MégaHertz), des mesures de résistivité par la méthode 4 pointes, des mesures de DLTS en fonction de la température,  ceci dans l’objectif d’obtenir de plus amples informations sur les couches nitrurées et enfin d’optimiser le processus de nitruration et la réalisation de nanocomposants électroniques.
 Une modélisation à l’échelle nanométrique des phénomènes de transport  dans ce type de composants vient compléter les travaux de cette équipe, ceci en s'appyuant sur l'outil SILVACO.

Liste des memebres de l'équipe: