Transistors HEMTs

Equipe : Caractérisation et modélisation des transistors HEMTs  à base de nitrure de gallium pour l’électronique hyperfréquence.

Résponsable : Pr. M. Chellali:

Les transistors à effet de champ basés sur les semiconducteurs III-V sont à l’heure actuelle les candidats les plus prometteurs pour des applications de puissance telles que les télécommunications. Pour ce faire, des transistors  tels les HEMTs sont réalisés afin d’étudier certaines caractéristiques comme la montée en fréquence, les fortes puissances et la tenue en température. L’objectif consiste à améliorer et à maîtriser une technologie stable à haute température. L’origine physique de ces caractéristiques réside notamment dans le procédé d’élaboration du matériau à base de nitrure, notamment les contacts ohmiques et Schottky. Alors que le contact ohmique optimisé s’est révélé être stable et opérationnel à haute température, de nombreux travaux restent à effectuer sur l’électrode de commande. Ce travail est donc dédié à mieux appréhender les phénomènes physiques en surface qui conditionnent le fonctionnement du transistor ainsi qu’à améliorer la qualité des épitaxies et des étapes technologiques. Ceci est réalisé par l’intermédiaire de méthodes de caractérisation spécifiques associées à des modèles électriques, optiques et physiques permettant d’analyser et de quantifier l’influence des pièges en surface et à l’interface des composants.

Liste des membres de l'équipe :