Banc de mesure DLTS:
Il s'agit d'une technique très utile pour caractériser les niveaux profonds électriquement actifs dans la
bande interdite du semi-conducteur. En effet, elle permet de déterminer les énergies d'activation des
défauts, leur section efficace de capture ainsi que leur densité. La DLTS est aussi utilisée pour
caractériser les états d'interface, elle donne la distribution de ces états en fonction de l'énergie, et peut
aussi être un moyen très utile pour étudier les propriétés de génération des porteurs minoritaires.
Deux valeurs de la capacité C sont enregistrées à deux instants t1 et t2, après chaque impulsion de
tension appliquée à la structure. Le signal D LTS est obtenu en calculant la différence entre C(t1) et C(t2)
pour différentes températures.