{"id":749,"date":"2025-06-22T16:54:50","date_gmt":"2025-06-22T14:54:50","guid":{"rendered":"http:\/\/localhost\/yacine_app\/lecm\/?page_id=749"},"modified":"2025-06-30T17:29:52","modified_gmt":"2025-06-30T15:29:52","slug":"equipe1","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/equipe1\/","title":{"rendered":"Equipe1"},"content":{"rendered":"\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Equipe1: Caract\u00e9risations \u00e9lectriques et surfaciques des nanocomposants GaN\/GaAs<\/h3>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Th\u00e9matique\u00a0de l’\u00e9quipe 1:<\/strong><\/h2>

Cette derni\u00e8re d\u00e9cennie, les nitrures d\u2019\u00e9l\u00e9ments III\/N tels que le GaN sont entrain de connaitre un essor consid\u00e9rable. L\u2019int\u00e9r\u00eat croissant pour ces mat\u00e9riaux est d\u00fb aux applications potentielles de cette famille de semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite. En effet, ces compos\u00e9s pr\u00e9sentent des performances bien sup\u00e9rieures \u00e0 celles des semi-conducteurs plus classiques comme le silicium. Ce sont des mat\u00e9riaux de choix pour toutes les applications nanotechnologiques. Or les caract\u00e9ristiques de ces mat\u00e9riaux et des composants sont sensibles \u00e0 l\u2019\u00e9tat de surface et de l\u2019interface.<\/p>

\u00a0Ainsi, dans cette \u00e9quipe de recherche, nous nous proposons d\u2019\u00e9tudier le fonctionnement des diff\u00e9rents types de composants \u00e9lectroniques ceci en passant par une ma\u00eetrise pr\u00e9alable des ph\u00e9nom\u00e8nes physiques et \u00e9lectroniques r\u00e9gissant le transport dans les nano-composants r\u00e9alis\u00e9s tels que les h\u00e9t\u00e9rostructures de type GaN \/GaAs.\u00a0 Il est donc devenu essentiel de comprendre les m\u00e9canismes de formation des nanostructures pour ma\u00eetriser au mieux la technologie des composants r\u00e9alis\u00e9s. En effet, dans le domaine de l\u2019\u00e9lectronique, ces mat\u00e9riaux pr\u00e9sentent un caract\u00e8re r\u00e9fractaire qui permet d\u2019envisager des applications dans des conditions hostiles, \u00e0 hautes temp\u00e9rature, puissance ou fr\u00e9quence.\u00a0<\/p>

\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0 Pour l\u2019\u00e9laboration de nos h\u00e9t\u00e9ro-structures et pour la croissance du GaN sur GaAs, nous utilisons un plasma d\u2019azote actif cr\u00e9\u00e9 par une source GDS \u00e0 faible puissance. Ce processus optimis\u00e9 am\u00e8ne \u00e0 la cr\u00e9ation de couches de GaN st\u0153chiom\u00e9triques de tr\u00e8s bonne qualit\u00e9. Les surfaces nettoy\u00e9es et nitrur\u00e9es sont analys\u00e9es par des m\u00e9thodes spectroscopiques de type Auger et XPS Les h\u00e9t\u00e9rostructures GaN\/GaAs\u00a0 \u00e9labor\u00e9es seront ensuite caract\u00e9ris\u00e9es \u00e9lectriquement ceci en tra\u00e7ant les courbes courant-tension \u00e0 diff\u00e9rentes temp\u00e9ratures ( 100K \u00e0 700K), capacit\u00e9-tension \u00e0 diff\u00e9rentes fr\u00e9quences ( quelques Hertz \u00e0 plusieurs M\u00e9gahertz), des mesures de r\u00e9sistivit\u00e9 par la m\u00e9thode 4 pointes, des mesures de DLTS en fonction de la temp\u00e9rature,\u00a0 ceci dans l\u2019objectif d\u2019obtenir de plus amples informations sur les couches nitrur\u00e9es et enfin d\u2019optimiser le processus de nitruration et la r\u00e9alisation de nano-composants \u00e9lectroniques.<\/p>

\u00a0Une mod\u00e9lisation \u00e0 l\u2019\u00e9chelle nanom\u00e9trique des ph\u00e9nom\u00e8nes de transport dans ce type de composants vient compl\u00e9ter les travaux de cette \u00e9quipe, ceci en s’appuyant sur l’outil SILVACO.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Liste exhaustive des membres de l\u2019\u00e9quipe1<\/h3>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
Nom et pr\u00e9nom<\/th>\n Grade<\/th>\n Qualit\u00e9<\/th>\n Domaine<\/th>\n Profil<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Mme BENAMARA Zineb<\/td>\n Pr<\/td>\n chef d'\u00e9quipe<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Mr MANSOURI Sedik<\/td>\n Pr<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Mme TALBI Abbasia<\/td>\n MCA<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Melle BENSEDDIK Nadia<\/td>\n MCA<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Mr ZOUGUAGH Nabil<\/td>\n MCB<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Mr BENAMARA Mekki - AbdelKader<\/td>\n MCB<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Mr BAGHDAD BEY AbdelKader<\/td>\n MAA-Doctorant<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Melle BOUALAM Soumia<\/td>\n Doctorant<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Mr SAADOUN Ali<\/td>\n Doctorant<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Mr HELAL Hicham<\/td>\n Doctorant<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n
Mr KHEDIRI A. El Hadi<\/td>\n Doctorant<\/td>\n Membre<\/td>\n <\/td>\n Voir Profil<\/a><\/td>\n <\/tr>\n \n <\/tbody>\n \n<\/table>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Equipe1: Caract\u00e9risations \u00e9lectriques et surfaciques des nanocomposants GaN\/GaAs Th\u00e9matique\u00a0de l’\u00e9quipe 1: Cette derni\u00e8re d\u00e9cennie, les nitrures d\u2019\u00e9l\u00e9ments III\/N tels que le GaN sont entrain de connaitre un essor consid\u00e9rable. L\u2019int\u00e9r\u00eat croissant pour ces mat\u00e9riaux est d\u00fb aux applications potentielles de cette famille de semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite. En effet, ces compos\u00e9s pr\u00e9sentent des performances […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"parent":0,"menu_order":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","template":"","meta":{"footnotes":""},"class_list":["post-749","page","type-page","status-publish","hentry","entry"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/749","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/wp-json\/wp\/v2\/pages"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/wp-json\/wp\/v2\/types\/page"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=749"}],"version-history":[{"count":28,"href":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/749\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":846,"href":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/749\/revisions\/846"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.univ-sba.dz\/amel\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=749"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}