Dénomination de l'équipe 2:

Nano restructuration et nitruration de la surface d’InP pour l’élaboration des composants électroniques

Thématique de l'équipe 2:

Les besoins actuels du secteur de l’électronique de puissance et de l’optoélectronique intégrée sont si importants qu’ils confrontent l’industrie de la microélectronique aux limites du silicium. Il est devenu alors impératif de le remplacer le par des matériaux compatibles avec la miniaturisation. Parmi ces matériaux, les alliages de type III-V occupent une place de choix. En effet, l'activité des Nitrures/III-V s'est beaucoup développée au cours de ces dernières années. Les développements les plus récents marquent un intérêt de plus en plus marqué vers la thématique nanotechnologie. Nous nous intéressons dans ce projet à la réalisation de composants électroniques élaborés sur des couches tampons d’InN sur substrat d’InP. Une optimisation du procédé de nitruration pour l’obtention d’une bonne qualité structurale de la couche épitaxiale d’InN sur le substrat d’InP est faite.
A cet effet, des techniques de mesure et des moyens d’analyse structurale sont mis à profit.
Des mesures électriques C(V), I(V), G(V), DLTS, et de résistivité (4 pointes) réalisées à de faibles températures et en fonction de la fréquence (quelques Hz-10 MHz) permettront de mieux appréhender l’aspect pratique de ce projet. L’utilisation de la simulation et de la modélisation permettra aussi d’interpréter les résultats obtenus et d’optimiser les paramètres physiques et électriques pour la conception des composants nano et optoélectroniques.

Membres de l'équipe 2: